Samsung сообщила о начале массового производства и поставок памяти HBM4, став первой, кто успешно реализовал эту технологию в виде реального продукта. Основная особенность новинки заключается в применении прогрессивного 4-нм техпроцесса для логического слоя и шестого поколения 10-нм чипов DRAM, что привело к рекордным показателям без кардинального изменения архитектуры. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, а максимальная скорость составляет до 13 Гбит/с. Пропускная способность увеличилась до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает предыдущую HBM3E. Эти достижения особенно важны для оптимизации обучения крупных языковых моделей ИИ. Несмотря на удвоение количества контактов ввода-вывода до 2048, инженеры улучшили энергоэффективность на 40%. В настоящее время доступны 12-слойные модули объемом 24 и 36 ГБ, в планах — 16-слойные модули по 48 ГБ. Samsung ожидает значительный рост спроса на память, прогнозируя, что продажи HBM в 2026 году возрастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Также в 2026 году начнется тестирование усовершенствованной версии HBM4E, а с 2027 года стартует производство чипов, адаптированных для специфических запросов клиентов.